传台积电美国3纳米进展加快 明年展开进机

芯片代工台积电董事会首度移师美国，由于美国总统川普上任后强调将对台半导体加征关税，外界也揣测公司是否会趁机会与美国协商，并进一步加快或扩大在美投资的步伐。

近期供应链传出，台积电美国第二座芯片厂将于明（2026）年第二至三季启动进机，主要锁定3纳米制程，最快2027年进入量产，以满足当地客户需求。

整理台积电先前披露的数据，亚利桑那州首座芯片厂原本预估2025年初量产4纳米，提前于2024年第四季达阵；而第二座芯片厂预计将在2028年开始量产，将采用更先进的3纳米、2纳米制程技术；第三座芯片厂则预计将在21世纪20年代底（约2030年前）拟采2纳米、A16等更先进制程生产。

供应链最新传出，台积电第二座芯片厂预计明年第二季-三季左右展开进机，最快2027年放量，该厂初期预计提供2.5-3万片/月的3纳米产能，如加计第一座芯片厂部分，2027年底至2028年初两厂月产能将达到5-6万片。据悉，台积电在亚利桑纳州基地可容纳六座厂，未来有可能进一步宣布第四座芯片厂之后的规划。

半导体人士分析，川普政府高喊对半导体课征高关税，主要目的是希望国外企业到美国设厂、刺激本土制造业复兴。对台积电而言，目前在先进制程具备无可取代性且议价能力高，有望通过涨价方式转嫁成本。不过，未来美方还是会持续施压台在美国进行更多投资，因此先加速第二座芯片厂的量产进程，可说是当前最佳的权宜之计。

台积电本次董事会是例行性会议，会中讨论重点将围绕2024年第4季财务报告及现金股利、资本支出、发债计划、高层人士异动等，也不一定会借此机会公布在美扩大投资计划。市场预期，2024年第四季每股现金股利至少可维持第三季配发的4.5元，也不排除进一步调高。

（首图来源：shutterstock）